|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами. II. Энергетическая эффективность
А. С. Кюрегян Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва, Россия
Аннотация:
Впервые изучена энергетическая эффективность оптоэлектронных коммутаторов на основе высоковольтных кремниевых фотодиодов, фототранзисторов и фототиристоров, управляемых пикосекундными лазерными импульсами, при формировании импульсов напряжения на активной нагрузке $R_{L}$. Показано, что при заданных значениях амплитуды $U_{R}$ и длительности $t_{R}$ импульсов существуют оптимальные величины площади приборов, энергии и коэффициента поглощения управляющего излучения, обеспечивающие максимальный общий коэффициент полезного действия коммутатора $\sim$0.92. Все три типа коммутаторов обладают практически одинаковой эффективностью при малых $t_{R}$, а при больших $t_{R}$ заметным преимуществом обладают фототиристоры.
Поступила в редакцию: 21.12.2016 Принята в печать: 28.02.2017
Образец цитирования:
А. С. Кюрегян, “Мощные оптоэлектронные коммутаторы нано- и пикосекундного диапазона на основе высоковольтных кремниевых структур с $p$–$n$-переходами. II. Энергетическая эффективность”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1263–1266; Semiconductors, 51:9 (2017), 1214–1217
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6048 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1263
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 5 |
|