Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1249–1256
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44890.8485 (Mi phts6046) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе

А. В. Цукановab, В. Г. Чекмачевab

a Московский физико-технический институт, Московская облаcть, г. Долгопрудный
b Физико-технологический институт РАН, г. Москва
PDF полного текста (764 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44890.8485
Аннотация: Приведена схема оптического квантового сенсора внешнего электрического поля на основе двойной квантовой точки, помещенной в высокодобротный полупроводниковый микрорезистор. Разработана модель динамических процессов, происходящих в данной системе, исследованы ее спектральные характеристики, а также проведено изучение шумовой устойчивости сенсора. Показано, что благодаря особенностям дизайна подобное устройство обладает некоторыми преимуществами, такими, как высокая чувствительность, наличие различных каналов для возбуждения и измерения, возможность точного определения пространственного распределения поля.
Поступила в редакцию: 01.02.2017
Принята в печать: 22.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1200–1207
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090214
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Цуканов, В. Г. Чекмачев, “Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1249–1256; Semiconductors, 51:9 (2017), 1200–1207
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TsuChe17}
\by А.~В.~Цуканов, В.~Г.~Чекмачев
\paper Сенсор электрического поля на основе двойной квантовой точки в микрорезонаторе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1249--1256
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6046}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44890.8485}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973063}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1200--1207
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6046
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1249
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025