Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1223–1228
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44886.8402
(Mi phts6042)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Составление аналитического выражения физического процесса по экспериментальной кривой с изломами

В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов, Н. Э. Лугина, К. П. Мельник

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
Аннотация: Предложена методика составления аналитического выражения экспериментальной кривой, имеющей один или несколько изломов. В зависимости от схемы участия парциальных процессов в результирующем процессе при составлении используются вычисления суммы процессов или их среднего геометрического значения. Для повышения точности аппроксимации в данные выражения введены “функции участия” процессов, ход которых определяется координатой точки пересечения процессов и “параметром точности”. Их подбором точность аппроксимации устанавливается соответствующей точности измерения экспериментальной кривой. Показано применение предлагаемой методики в аналитических расчетах с комбинацией нескольких процессов, а также при составлении аналитического выражения экспериментальной кривой с изломами. Получаемое таким способом аппроксимирующее выражение характеризуется наглядностью, высокой точностью аппроксимации, физической простотой и может быть использовано для вычисления других свойств полупроводникового прибора.
Поступила в редакцию: 16.01.2017
Принята в печать: 07.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1174–1179
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090093
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов, Н. Э. Лугина, К. П. Мельник, “Составление аналитического выражения физического процесса по экспериментальной кривой с изломами”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1223–1228; Semiconductors, 51:9 (2017), 1174–1179
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DavKhaLug17}
\by В.~Н.~Давыдов, С.~В.~Харитонов, Н.~Э.~Лугина, К.~П.~Мельник
\paper Составление аналитического выражения физического процесса по экспериментальной кривой с изломами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1223--1228
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6042}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44886.8402}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973059}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1174--1179
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090093}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6042
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1223
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024