Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1182–1184
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44880.8561 (Mi phts6036) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода

Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, Е. И. Шекa, К. Ф. Штельмахab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (214 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44880.8561
Аннотация: Исследовано влияние температуры измерения в диапазоне 5–130 K на спектры ФЛ (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода с энергией 350 кэВ и дозой 3.7 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ и отожженном при 700$^\circ$C в течение 1 ч в хлорсодержащей атмосфере. Температурная зависимость интенсивности линии характеризуется участками возгорания интенсивности с энергией 23.1 мэВ и гашения интенсивности с энергиями 41.9 и 178.3 мэВ. С ростом температуры линии сдвигаются в длинноволновую сторону, а их полуширина увеличивается.
Поступила в редакцию: 20.02.2017
Принята в печать: 01.03.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1133–1135
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090202
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, “Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1182–1184; Semiconductors, 51:9 (2017), 1133–1135
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobKalShe17}
\by Н.~А.~Соболев, А.~Е.~Калядин, Е.~И.~Шек, К.~Ф.~Штельмах
\paper Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1182--1184
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6036}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44880.8561}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973053}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1133--1135
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090202}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6036
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1182
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024