Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1155–1159
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44876.8527 (Mi phts6032) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении

И. Е. Мaтяшa, И. А. Минайловаa, Б. К. Сердегаa, Л. И. Хируненкоb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Институт физики НАН Украины, г. Киев
PDF полного текста (170 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44876.8527
Аннотация: Исследованы распределения внутренних механических напряжений нелегированного и легированного оловом кремния и влияния на них облучения электронами с энергией 5 МэВ и температурной обработки при 450$^\circ$C. Измерения напряжений проводились методом, основанным на регистрации двулучепреломления с помощью модуляционной поляриметрии. Показано, что легированный оловом кремний имеет полосы точечных дефектов с неоднородным распределением остаточных напряжений до 20 кг/см$^{2}$. Температурная обработка при 450$^\circ$C приводит к повышению остаточных напряжений в образце до 50 кг/см$^{2}$. Выявлено, что радиационные дефекты, которые образовались при облучении кремния, легированного оловом, приводят к уменьшению остаточных напряжений до 2–3 кг/см$^{2}$.
Поступила в редакцию: 20.01.2017
Принята в печать: 06.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1107–1110
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090147
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Е. Мaтяш, И. А. Минайлова, Б. К. Сердега, Л. И. Хируненко, “Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1155–1159; Semiconductors, 51:9 (2017), 1107–1110
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MatMinSer17}
\by И.~Е.~Мaтяш, И.~А.~Минайлова, Б.~К.~Сердега, Л.~И.~Хируненко
\paper Остаточные напряжения в кремнии и их эволюция при температурной обработке и облучении
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1155--1159
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6032}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44876.8527}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973049}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1107--1110
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090147}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6032
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1155
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024