Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1434–1438
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45026.8514
(Mi phts6031)
 

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Твердые растворы (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: кристаллическая структура, ядерные гамма-резонансные спектры и ширина запрещенной зоны

И. В. Боднарьa, Т. Г. Баругуa, Ю. В. Касюкb, Ю. А. Федотоваb

a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
b Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, г. Минск
Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы твердых растворов (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8})_{1-x}$ во всем диапазоне концентраций. Установлено, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Методом ядерной гамма-резонансной спектроскопии изучены локальные конфигурации ионов железа в структуре твердых растворов (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8})_{1-x}$. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определена ширина запрещенной зоны ($E_{g}$) указанных твердых растворов и построена ее концентрационная зависимость. Показано, что $E_{g}$ c $x$ изменяется нелинейно.
Поступила в редакцию: 10.01.2017
Принята в печать: 16.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1385–1389
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100050
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, Т. Г. Баругу, Ю. В. Касюк, Ю. А. Федотова, “Твердые растворы (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: кристаллическая структура, ядерные гамма-резонансные спектры и ширина запрещенной зоны”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1434–1438; Semiconductors, 51:10 (2017), 1385–1389
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonBarKas17}
\by И.~В.~Боднарь, Т.~Г.~Баругу, Ю.~В.~Касюк, Ю.~А.~Федотова
\paper Твердые растворы (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: кристаллическая структура, ядерные гамма-резонансные спектры и ширина запрещенной зоны
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1434--1438
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6031}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45026.8514}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291337}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1385--1389
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100050}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6031
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1434
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024