|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения
И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев Академия связи Украины, Одесса, Украина
Аннотация:
Исследовано влияние эффективной концентрации задающей тип проводимости базовой области примеси и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины потоков электронов, нейтронов и $\gamma$-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на 2 порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра, что повышает процент выхода годных приборов.
Поступила в редакцию: 26.12.2016 Принята в печать: 27.12.2017
Образец цитирования:
И. М. Викулин, В. Э. Горбачев, Ш. Д. Курмашев, “Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1404–1409; Semiconductors, 51:10 (2017), 1354–1359
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6026 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1404
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 12 |
|