Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1372–1375
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45015.8507 (Mi phts6020) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса–Ферми

В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (118 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45015.8507
Аннотация: Исследуется характер локализации двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника, в области пространственного заряда которого проявляется естественный размерный эффект. Из теоретического анализа рассеяния низкоэнергетичных электронов на сформированном на поверхности сосредоточенным зарядом ионизованной примеси хаотическом потенциале определена длина свободного пробега носителя. На основе правила Иоффе–Регеля получен критерий сильной локализации в указанной двумерной электронной системе.
Поступила в редакцию: 21.02.2017
Принята в печать: 28.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1321–1325
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100062
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов, “Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса–Ферми”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1372–1375; Semiconductors, 51:10 (2017), 1321–1325
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonFil17}
\by В.~Б.~Бондаренко, А.~В.~Филимонов
\paper Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса--Ферми
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1372--1375
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6020}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45015.8507}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291325}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1321--1325
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100062}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6020
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1372
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024