Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1364–1371
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45014.8489
(Mi phts6019)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn

Л. Н. Овешниковab, Е. И. Нехаеваba

a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Исследован магнетотранспорт в гетероструктурах с пространственным разделением магнитной примеси Mn и квантовой ямы InGaAs. Анализ наблюдаемого эффекта слабой локализации с помощью формулы Хиками–Ларкина–Нагаоки приводит к аномально низкому значению префактора (0.4). Полученные данные указывают на то, что основным механизмом сбоя фазы может быть неупругое $e$$e$ рассеяние. Анализ проводимости и магнетосопротивления указывает на доминантную роль спин-зависимого рассеяния на флуктуациях магнитной подсистемы, что согласуется с увеличением амплитуды отрицательного магнетосопротивления и увеличением друдевской проводимости при охлаждении. Исследована природа аномального эффекта Холла в данных структурах, в частности присутствуют указания на наличие топологического вклада при низких температурах.
Поступила в редакцию: 20.12.2016
Принята в печать: 28.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1313–1320
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Н. Овешников, Е. И. Нехаева, “Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1364–1371; Semiconductors, 51:10 (2017), 1313–1320
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OveNek17}
\by Л.~Н.~Овешников, Е.~И.~Нехаева
\paper Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1364--1371
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6019}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45014.8489}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291324}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1313--1320
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6019
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1364
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024