|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена
А. И. Ивановa, Н. А. Небогатиковаa, И. И. Куркинаb, И. В. Антоноваacd a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Северо-Восточный федеральный университет им. М. К. Аммосова, г. Якутск
c Новосибирский государственный университет
d Новосибирский государственный технический университет
Аннотация:
Исследован механизм резистивных переключений в плeнках частично фторированного графена. Пленки были получены на основе ряда графеновых суспензий с разным составом и различной степенью фторирования. Экспериментально обнаружена зависимость величины резистивных переключений от наличия в составе суспензии органических добавок ($N$-метилпирролидон и диметилформамид) и степени фторирования. Показано, что для плeнок, полученных из суспензии без органических составляющих, резистивные переключения не наблюдаются вне зависимости от степени фторирования. Максимальный эффект, $\sim$10–20 раз, обнаружен для плeнок, содержащих диметилформамид. Предложена физическая модель пленок, согласно которой наблюдаемая зависимость связана с наличием в исследованных плeнках капсулированных функциональных групп, образованных из молекул диметилформамида, проявляющих электрическую активность. Измеренные вольт-амперные характеристики пленок наилучшим образом описываются моделью Френкеля–Пула с энергией активации центров 0.08 эВ, ответственных за проводимость. Величина переключений зависит от степени фторирования исходных суспензий. Максимальный эффект наблюдается при степени фторирования суспензии $\sim CF_{0.25}$. Исследованные в работе суспензии частично фторированного графена подходят для создания приборных структур при помощи 2D-печати.
Поступила в редакцию: 27.12.2016 Принята в печать: 17.02.2017
Образец цитирования:
А. И. Иванов, Н. А. Небогатикова, И. И. Куркина, И. В. Антонова, “Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1357–1363; Semiconductors, 51:10 (2017), 1306–1312
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6018 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1357
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 17 |
|