Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1357–1363
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45013.8498
(Mi phts6018)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена

А. И. Ивановa, Н. А. Небогатиковаa, И. И. Куркинаb, И. В. Антоноваacd

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Северо-Восточный федеральный университет им. М. К. Аммосова, г. Якутск
c Новосибирский государственный университет
d Новосибирский государственный технический университет
Аннотация: Исследован механизм резистивных переключений в плeнках частично фторированного графена. Пленки были получены на основе ряда графеновых суспензий с разным составом и различной степенью фторирования. Экспериментально обнаружена зависимость величины резистивных переключений от наличия в составе суспензии органических добавок ($N$-метилпирролидон и диметилформамид) и степени фторирования. Показано, что для плeнок, полученных из суспензии без органических составляющих, резистивные переключения не наблюдаются вне зависимости от степени фторирования. Максимальный эффект, $\sim$10–20 раз, обнаружен для плeнок, содержащих диметилформамид. Предложена физическая модель пленок, согласно которой наблюдаемая зависимость связана с наличием в исследованных плeнках капсулированных функциональных групп, образованных из молекул диметилформамида, проявляющих электрическую активность. Измеренные вольт-амперные характеристики пленок наилучшим образом описываются моделью Френкеля–Пула с энергией активации центров 0.08 эВ, ответственных за проводимость. Величина переключений зависит от степени фторирования исходных суспензий. Максимальный эффект наблюдается при степени фторирования суспензии $\sim CF_{0.25}$. Исследованные в работе суспензии частично фторированного графена подходят для создания приборных структур при помощи 2D-печати.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 17.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1306–1312
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Иванов, Н. А. Небогатикова, И. И. Куркина, И. В. Антонова, “Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1357–1363; Semiconductors, 51:10 (2017), 1306–1312
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaNebKur17}
\by А.~И.~Иванов, Н.~А.~Небогатикова, И.~И.~Куркина, И.~В.~Антонова
\paper Механизм резистивных переключений в плeнках на основе частично фторированного графена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1357--1363
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6018}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45013.8498}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291323}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1306--1312
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6018
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1357
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024