Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1325–1340
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45009.8605
(Mi phts6014)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Обзоры

Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор

А. В. Герт, М. О. Нестоклон, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Обзор посвящен моделированию нанокристаллов Si и Ge методом сильной связи. Сначала приведeн краткий обзор методов моделирования и результатов, полученных для кремниевых и германиевых нанокристаллов. Затем подробно описан метод моделирования сильной связью в варианте с учeтом орбиталей $s$, $p$, $d$, $s^{*}$ и представлены результаты, полученные на его основе для нанокристаллов кремния и германия.
Поступила в редакцию: 10.04.2017
Принята в печать: 17.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1274–1289
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100098
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Герт, М. О. Нестоклон, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич, “Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1325–1340; Semiconductors, 51:10 (2017), 1274–1289
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GerNesPro17}
\by А.~В.~Герт, М.~О.~Нестоклон, А.~А.~Прокофьев, И.~Н.~Яссиевич
\paper Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов. Обзор
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1325--1340
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6014}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45009.8605}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291319}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1274--1289
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100098}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6014
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1325
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:91
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024