Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1547–1551
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45109.23 (Mi phts6006) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Особенности циклотронного резонанса в трехмерных топологических изоляторах

Р. В. Туркевичab, В. Я. Демиховскийa, А. П. Протогеновab

a Нижегородский государственный университет
b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (115 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45109.23
Аннотация: Изучаются особенности циклотронного резонанса в топологических изоляторах семейства Bi$_{2}$Te$_{3}$. Энергетический спектр электронных возбуждений на поверхности этих соединений в магнитном поле обладает симметрией $C_{3V}$. Используя квазиклассические уравнения движения, которые учитывают кривизну Берри и магнитный момент, мы нашли, что спектр циклотронных частот содержит дополнительные гармоники, связанные с анизотропией спектра. Исследование этих гармоник позволяет прояснить вклад топологических характеристик в наблюдаемые величины.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1495–1499
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110276
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Туркевич, В. Я. Демиховский, А. П. Протогенов, “Особенности циклотронного резонанса в трехмерных топологических изоляторах”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1547–1551; Semiconductors, 51:11 (2017), 1495–1499
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TurDemPro17}
\by Р.~В.~Туркевич, В.~Я.~Демиховский, А.~П.~Протогенов
\paper Особенности циклотронного резонанса в трехмерных топологических изоляторах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1547--1551
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6006}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45109.23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546400}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1495--1499
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110276}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6006
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1547
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024