Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1514–1519
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45102.16 (Mi phts5999) 		 
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Усиление терагерцового излучения в плазмонной $n$-$i$-$p$-$i$-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда

О. В. Полищукa, Д. В. Фатеевa, В. В. Поповba

a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
b Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (368 kB) Список цитирования (11)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45102.16
Аннотация: Теоретически исследован спектр поглощения/усиления терагерцового излучения в неоднородном графене ($n$-$i$-$p$-$i$-структура) с периодической двойной металлической решеткой. Показано, что усиление терагерцового излучения на частоте плазмонного резонанса резко возрастает, когда потери за счет электронного рассеяния и потери на излучение уравновешиваются плазмонным усилением (связанным со стимулированной излучательной межзонной рекомбинацией электронно-дырочных пар в инвертированной области графена).
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1460–1465
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110240
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Полищук, Д. В. Фатеев, В. В. Попов, “Усиление терагерцового излучения в плазмонной $n$-$i$-$p$-$i$-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1514–1519; Semiconductors, 51:11 (2017), 1460–1465
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PolFatPop17}
\by О.~В.~Полищук, Д.~В.~Фатеев, В.~В.~Попов
\paper Усиление терагерцового излучения в плазмонной $n$-$i$-$p$-$i$-структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1514--1519
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5999}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45102.16}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546392}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1460--1465
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110240}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5999
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1514
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024