Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур

Представлены результаты выращивания буферных слоев AlN для транзисторов с высокой подвижностью электронов методом высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами, влияющими на кинетику роста и дефектообразование, являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al, при температуре подложки 1150$^\circ$C не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностную подвижность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта, была достигнута подвижность носителей до 2000 см$^{2}$/В $\cdot$ с.