|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Вычислены времена каскадного захвата электрона на заряженный диполь донор-акцептор для случая импульсного и стационарного возбуждений примесной фотопроводимости в GaAs, Ge и Si. Показано, что при концентрации заряженной примеси, большей 10$^{13}$ см$^{-3}$, зависимость частоты каскадного захвата от концентрации заряженной примеси становится сублинейной в рассматриваемых полупроводниках.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017
Образец цитирования:
В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, “Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1498–1502; Semiconductors, 51:11 (2017), 1444–1448
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5995 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1498
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 10 |
|