Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1480–1483
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45094.08 (Mi phts5991) 		 
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах

Е. Д. Лещенкоab, В. Г. Дубровскийabc

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (447 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45094.08
Аннотация: Работа посвящена исследованию пространственного распределения концентрации легирующей примеси в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Найдена эволюция функции распределения легирующей примеси в результате решения краевой задачи диффузии. Показано, как в рамках построенной модели возникает неоднородность концентрации примеси, наблюдаемая экспериментально при легировании GaAs нитевидных нанокристаллов бериллием и в некоторых других системах материалов.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1427–1430
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110173
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1480–1483; Semiconductors, 51:11 (2017), 1427–1430
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LesDub17}
\by Е.~Д.~Лещенко, В.~Г.~Дубровский
\paper Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1480--1483
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5991}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45094.08}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546384}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1427--1430
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110173}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5991
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1480
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024