Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страницы 1711–1715
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45191.8239 (Mi phts5980) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Single electron transistor: energy-level broadening effect and thermionic contribution

A. Nasria, A. Boubakera, W. Khaldia, B. Hafsibc, A. Kalboussia

a University of Monastir, Microelectronics and Instrumentation laboratory, Monastir, Tunisia
b Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis
c Institut d'Electronique de Microélectronique et de Nanotechnologie, France
PDF полного текста (238 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45191.8239
Аннотация: In this paper, a theoretical study of single electron transistor (SET) based on silicon quantum dot (Si–QD) has been studied. We have used a novel approach based on the orthodox theory. We studied the energy–level broadening effect on the performance of the SET, where the tunnel resistance depends on the discrete energy. We have investigated the I–V curves, taking into account the effects of the energy-level broadening, temperature and bias voltage. The presence of Coulomb blockade phenomena and its role to obtain the negative differential resistance (NDR) have been also outlined.
Поступила в редакцию: 14.02.2017
Исправленный вариант: 20.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 12, Pages 1656–1660
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617120144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. Nasri, A. Boubaker, W. Khaldi, B. Hafsi, A. Kalboussi, “Single electron transistor: energy-level broadening effect and thermionic contribution”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1711–1715; Semiconductors, 51:12 (2017), 1656–1660
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NasBouKha17}
\by A.~Nasri, A.~Boubaker, W.~Khaldi, B.~Hafsi, A.~Kalboussi
\paper Single electron transistor: energy-level broadening effect and thermionic contribution
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1711--1715
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5980}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45191.8239}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30729672}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1656--1660
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617120144}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5980
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1711
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:33
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024