|
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
В. Н. Трухинa, А. Д. Буравлевb, И. А. Мустафинac, Г. Э. Цырлинb, J. P. Kakkod, H. Lipsanend a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Finland
Аннотация:
Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронно-дырочной плазмы на генерацию ТГц-излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах на основе GaAs, выращенных методами MOVPE. Было показано, что временна́я динамика фотовозбужденных носителей заряда в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах определяется транспортом носителей заряда, как электронов, так и дырок, временем захвата электронов и дырок на поверхностные уровни.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017
Образец цитирования:
В. Н. Трухин, А. Д. Буравлев, И. А. Мустафин, Г. Э. Цырлин, J. P. Kakko, H. Lipsanen, “Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1631; Semiconductors, 52:1 (2018), 19–23
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5966 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1631
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 6 |
|