Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страницы 1621–1629
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45175.38 (Mi phts5964) 		 
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала

Л. С. Бовкунab, А. В. Иконниковac, В. Я. Алешкинad, С. С. Криштопенкоa, А. В. Антоновa, К. Е. Спиринa, Н. Н. Михайловef, С. А. Дворецкийe, В. И. Гавриленкоad

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, France
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
d Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
e Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
f Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (949 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45175.38
Аннотация: В квантовых ямах HgTe/CdHgTe шириной 8 нм с концентрацией электронов (1.7–13) $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ проведены исследования осцилляций Шубникова–де-Гааза в диапазоне температур от 1.6 до 40 K. Из анализа температурной зависимости амплитуды осцилляций при целочисленных факторах заполнения определены значения щелей между уровнями Ландау и квантовое время рассеяния. Экспериментальные значения щелей находятся в хорошем согласии с результатами одноэлектронных расчетов энергий уровней в рамках 8-зонной модели Кейна. Полученные экспериментальные значения ширины плотности состояний свидетельствуют о сильном экранировании обменного взаимодействия в квантовых ямах HgTe/CdHgTe.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 12, Pages 1562–1570
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261712003X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Бовкун, А. В. Иконников, В. Я. Алешкин, С. С. Криштопенко, А. В. Антонов, К. Е. Спирин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, “Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1621–1629; Semiconductors, 51:12 (2017), 1562–1570
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BovIkoAle17}
\by Л.~С.~Бовкун, А.~В.~Иконников, В.~Я.~Алешкин, С.~С.~Криштопенко, А.~В.~Антонов, К.~Е.~Спирин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, В.~И.~Гавриленко
\paper Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1621--1629
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5964}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45175.38}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30729656}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1562--1570
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261712003X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5964
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1621
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024