|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
В. В. Румянцевab, А. М. Кадыковa, М. А. Фадеевa, А. А. Дубиновab, В. В. Уточкинab, Н. Н. Михайловcd, С. А. Дворецкийc, С. В. Морозовba, В. И. Гавриленкоba a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
d Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Исследуются фотолюминесценция и стимулированное излучение на межзонных переходах в квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон 25–60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантово-каскадных лазеров. В работе обсуждаются оптимальные дизайны квантовых ям для достижения длинноволнового стимулированного излучения при оптической накачке. Показано, что узкие квантовые ямы из чистого HgTe оказываются перспективнее для длинноволновых лазеров по сравнению с широкими (потенциальными) ямами из твердого раствора за счет подавления оже-рекомбинации. Продемонстрировано, что технология молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет получать структуры для локализации излучения с длиной волны вплоть до 25 мкм при высокой скорости роста. Получено стимулированное излучение на длинах волн 14–6 мкм с пороговой интенсивностью накачки в диапазоне 100–500 Вт/см$^{2}$ при 20 K.
Поступила в редакцию: 05.06.2017 Принята в печать: 15.06.2017
Образец цитирования:
В. В. Румянцев, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. А. Дубинов, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1616–1620; Semiconductors, 51:12 (2017), 1557–1561
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5963 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1616
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 12 |
|