|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
А. В. Иконниковab, Л. С. Бовкунac, В. В. Румянцевab, С. С. Криштопенкоad, В. Я. Алешкинab, А. М. Кадыковad, M. Orlitac, M. Potemskic, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовba, С. А. Дворецкийe, Н. Н. Михайловfe a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France
d Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221, Montpellier, France
e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
f Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Выполнены исследования спектров магнитопоглощения и спектров межзонной фотопроводимости при различных температурах в квантовых ямах HgTe/CdHgTe с дырочным типом проводимости. Показано, что в образце с нормальной зонной структурой наблюдается сдвиг положения красной границы в сторону больших энергий с ростом температуры, что указывает на увеличение ширины запрещенной зоны в квантовой яме. В образце с инвертированной структурой впервые наблюдалось смещение красной границы в сторону меньших энергий, связанное с топологическим фазовым переходом от инвертированной зонной структуры к прямой с увеличением температуры. Результаты экспериментальных исследований находятся в согласии с теоретическими расчетами зонной структуры, выполненными на основе модели Кейна.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017
Образец цитирования:
А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1588–1593; Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5957 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1588
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 53 | PDF полного текста: | 19 |
|