Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страницы 1588–1593
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45168.30
(Mi phts5957)
 

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры

А. В. Иконниковab, Л. С. Бовкунac, В. В. Румянцевab, С. С. Криштопенкоad, В. Я. Алешкинab, А. М. Кадыковad, M. Orlitac, M. Potemskic, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовba, С. А. Дворецкийe, Н. Н. Михайловfe

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Laboratoire National des Champs Magnetiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France
d Laboratoire Charles Coulomb UMR 5221, Montpellier, France
e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
f Новосибирский государственный университет
Аннотация: Выполнены исследования спектров магнитопоглощения и спектров межзонной фотопроводимости при различных температурах в квантовых ямах HgTe/CdHgTe с дырочным типом проводимости. Показано, что в образце с нормальной зонной структурой наблюдается сдвиг положения красной границы в сторону больших энергий с ростом температуры, что указывает на увеличение ширины запрещенной зоны в квантовой яме. В образце с инвертированной структурой впервые наблюдалось смещение красной границы в сторону меньших энергий, связанное с топологическим фазовым переходом от инвертированной зонной структуры к прямой с увеличением температуры. Результаты экспериментальных исследований находятся в согласии с теоретическими расчетами зонной структуры, выполненными на основе модели Кейна.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 12, Pages 1531–1536
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617120090
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Иконников, Л. С. Бовкун, В. В. Румянцев, С. С. Криштопенко, В. Я. Алешкин, А. М. Кадыков, M. Orlita, M. Potemski, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, “Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1588–1593; Semiconductors, 51:12 (2017), 1531–1536
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IkoBovRum17}
\by А.~В.~Иконников, Л.~С.~Бовкун, В.~В.~Румянцев, С.~С.~Криштопенко, В.~Я.~Алешкин, А.~М.~Кадыков, M.~Orlita, M.~Potemski, В.~И.~Гавриленко, С.~В.~Морозов, С.~А.~Дворецкий, Н.~Н.~Михайлов
\paper Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1588--1593
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5957}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45168.30}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30729649}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1531--1536
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617120090}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5957
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1588
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024