Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 12, страница 1587
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45167.27 (Mi phts5956) 		 
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы

И. В. Штромab, Н. В. Сибиревcd, Е. В. Убыйвовкce, Ю. Б. Самсоненкоab, А. И. Хребтовa, Р. Р. Резникab, А. Д. Буравлевab, Г. Э. Цырлинaeb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (37 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45167.27
Аннотация: Представлено теоретическое и экспериментальное описание синтеза нитевидных нанокристаллов GaP методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) с использованием золота в качестве катализатора. Отношение потоков осаждаемых материалов и температура подложки кратковременно изменялись в процессе синтеза нитевидных нанокристаллов с целью исследования возможности создания наноразмерных включений различных политипов. Установлено, что изменения отношений потоков осаждаемых материалов и температуры роста приводят к контролируемому образованию включений толщиной в несколько нанометров, в том числе с кубической кристаллической структурой.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 1–5
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010219
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1587; Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShtSibUby17}
\by И.~В.~Штром, Н.~В.~Сибирев, Е.~В.~Убыйвовк, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, Р.~Р.~Резник, А.~Д.~Буравлев, Г.~Э.~Цырлин
\paper Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 12
\pages 1587
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5956}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.12.45167.27}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30729648}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 1--5
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010219}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5956
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i12/p1587
    Синоним
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024