Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 63–67
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45320.8655
(Mi phts5942)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si

А. Н. Софроновa, Р. М. Балагулаa, Д. А. Фирсовa, Л. Е. Воробьевa, А. А. Тонкихb, А. А. Саркисянac, Д. Б. Айрапетянc, Л. С. Петросянcd, Э. М. Казарянc

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, Germany
c Российско-Армянский университет, г. Ереван
d Университет Джексона, США
Аннотация: Pассмотрены экспериментальные и теоретические результаты исследования оптического поглощения легированных структур с квантовыми точками Ge/Si в дальнем инфракрасном диапазоне, соответствующем энергиям переходов дырок из основного в нижнее возбужденное состояние размерного квантования. В рамках адиабатического приближения построена аналитическая теория размерного квантования дырок в линзообразной квантовой точке с учетом парного кулоновского взаимодействия. Показано, что наличие взаимодействия не оказывает влияния на частоты нижних межуровневых резонансов, что является отражением реализации обобщенной теоремы Кона благодаря специфической геометрии квантовой точки. Экспериментальные и теоретические значения энергии переходов находятся в хорошем согласии.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.933.2017/4.6
3.6153.2017/7.8
МК-6064.2016.2
Государственный комитет по науке министерства образования и науки Республики Армения
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки России (государственные задания № 3.933.2017/4.6 и 3.6153.2017/7.8), грантом президента Российской Федерации для молодых кандидатов наук МК-6064.2016.2 и программой базового финансирования ГКН Республики Армения “Исследование физических свойств наноструктур со сложной геометрией и различными ограничивающими потенциалами”.
Поступила в редакцию: 22.05.2017
Принята в печать: 31.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 59–63
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010220
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Софронов, Р. М. Балагула, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Тонких, А. А. Саркисян, Д. Б. Айрапетян, Л. С. Петросян, Э. М. Казарян, “Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 63–67; Semiconductors, 52:1 (2018), 59–63
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SofBalFir18}
\by А.~Н.~Софронов, Р.~М.~Балагула, Д.~А.~Фирсов, Л.~Е.~Воробьев, А.~А.~Тонких, А.~А.~Саркисян, Д.~Б.~Айрапетян, Л.~С.~Петросян, Э.~М.~Казарян
\paper Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 63--67
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5942}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45320.8655}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982787}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 59--63
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010220}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5942
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p63
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024