|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si
А. Н. Софроновa, Р. М. Балагулаa, Д. А. Фирсовa, Л. Е. Воробьевa, А. А. Тонкихb, А. А. Саркисянac, Д. Б. Айрапетянc, Л. С. Петросянcd, Э. М. Казарянc a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, Germany
c Российско-Армянский университет, г. Ереван
d Университет Джексона, США
Аннотация:
Pассмотрены экспериментальные и теоретические результаты исследования оптического поглощения легированных структур с квантовыми точками Ge/Si в дальнем инфракрасном диапазоне, соответствующем энергиям переходов дырок из основного в нижнее возбужденное состояние размерного квантования. В рамках адиабатического приближения построена аналитическая теория размерного квантования дырок в линзообразной квантовой точке с учетом парного кулоновского взаимодействия. Показано, что наличие взаимодействия не оказывает влияния на частоты нижних межуровневых резонансов, что является отражением реализации обобщенной теоремы Кона благодаря специфической геометрии квантовой точки. Экспериментальные и теоретические значения энергии переходов находятся в хорошем согласии.
Поступила в редакцию: 22.05.2017 Принята в печать: 31.05.2017
Образец цитирования:
А. Н. Софронов, Р. М. Балагула, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, А. А. Тонких, А. А. Саркисян, Д. Б. Айрапетян, Л. С. Петросян, Э. М. Казарян, “Поглощение излучения дальнего инфракрасного диапазона квантовыми точками Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 63–67; Semiconductors, 52:1 (2018), 59–63
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5942 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p63
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 20 |
|