Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 45–47
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45317.8606 (Mi phts5939) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm$_{1-x}$ Gd$_{x}$S

В. В. Каминский, С. М. Соловьев, Г. Д. Хавров, Н. В. Шаренкова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (85 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45317.8606
Аннотация: Исследовано влияние концентрации гадолиния на фазовый переход полупроводник-металл в тонких поликристаллических пленках состава Sm$_{1-x}$Gd$_{x}$S, полученных методом взрывного испарения порошка в вакууме. Показано, что основным фактором физического механизма фазового перехода является сжатие материала пленки и что пленки сохраняют свои полупроводниковые свойства лишь до концентрации гадолиния $x$ = 0.12.
Поступила в редакцию: 11.04.2017
Принята в печать: 19.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 41–43
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Каминский, С. М. Соловьев, Г. Д. Хавров, Н. В. Шаренкова, “Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm$_{1-x}$ Gd$_{x}$S”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 45–47; Semiconductors, 52:1 (2018), 41–43
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KamSolKha18}
\by В.~В.~Каминский, С.~М.~Соловьев, Г.~Д.~Хавров, Н.~В.~Шаренкова
\paper Механизм фазового перехода полупроводник-металл в тонких пленках состава Sm$_{1-x}$ Gd$_{x}$S
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 45--47
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5939}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45317.8606}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982784}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 41--43
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5939
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p45
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024