Спектры инфракрасного отражения пленок топологического изолятора Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se ($x$ = 0.2, 0.34) на подложке ZnTe/GaAs и колебательные моды многослойных структур

Измерены спектры коэффициента отражения пленок топологического изолятора Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se ($x$ = 0.2, 0.34), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке ZnTe/GaAs. Измерения проводились в диапазоне 12–2500 см$^{-1}$ при комнатной температуре. Методом дисперсионного анализа определены частоты поперечных оптических фононов, плазменные частоты, высокочастотные диэлектрические проницаемости и толщины слоев. В квазистатическом приближении рассчитаны частоты интерфейсных мод четырехслойной структуры в функции параметра перекрытия $\chi_{1}$ (0 $\le\chi_{1}\le$ 1). Параметр описывает степень перекрытия двух интерфейсных мод, локализованных на плоскостях, ограничивающих слой справа и слева. Наличие в структуре взаимодействующих интерфейсных мод делает ее спектр отличным от суммы спектров составляющих ее компонент. Эти отличия проявляются в эксперименте. Обсуждаются условия взаимодействия интерфейсных мод с ИК излучением.