|
Электронные свойства полупроводников
Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия
А. М. Мусаев Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала, Россия
Аннотация:
Экспериментально исследована зависимость статической диэлектрической проницаемости монокристаллического германия от гидростатического давления до $P\approx$ 7.4 ГПа. При росте давления до $P\approx$ 4 ГПа, диэлектрическая проницаемость Ge уменьшается в $\sim$13 раз до значения $\varepsilon$ = 1.22. При дальнейшем росте давления до $P\approx$ 7 ГПа наблюдается умеренный рост varepsilon до исходного значения, а в диапазоне 7–7.4 ГПа диэлектрическая проницаемость возрастает до значения более 1000 единиц. Полученные экспериментальные результаты существенно отличаются от ранее известных зависимостей.
Поступила в редакцию: 28.06.2016 Принята в печать: 22.05.2017
Образец цитирования:
А. М. Мусаев, “Влияние гидростатического давления на статическую диэлектрическую проницаемость германия”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 35–37; Semiconductors, 52:1 (2018), 31–33
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5937 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p35
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 16 |
|