|
XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы
И. В. Штромab, Н. В. Сибиревcd, Е. В. Убыйвовкce, Ю. Б. Самсоненкоba, А. И. Хребтовb, Р. Р. Резникbea, А. Д. Буравлевba, Г. Э. Цырлинbae a Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный университет
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Представлено теоретическое и экспериментальное описание синтеза нитевидных нанокристаллов GaP методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) с использованием золота в качестве катализатора. Отношение потоков осаждаемых материалов и температура подложки кратковременно изменялись в процессе синтеза нитевидных нанокристаллов с целью исследования возможности создания наноразмерных включений различных политипов. Установлено, что изменения отношений потоков осаждаемых материалов и температуры роста приводят к контролируемому образованию включений толщиной в несколько нанометров, в том числе с кубической кристаллической структурой.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 12.05.2017
Образец цитирования:
И. В. Штром, Н. В. Сибирев, Е. В. Убыйвовк, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазы”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 5–9; Semiconductors, 52:1 (2018), 1–5
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5932 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p5
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 10 |
|