Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO$_{x}$N$_{y}$ при отжиге под высоким давлением

Изучено зарождение фазы кристаллического германия в пленках SiO$_{x}$N$_{y}$, имплантированных ионами Ge$^{+}$ с энергией 55 кэВ дозами 2.1 $\cdot$ 10$^{15}$-1.7 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$, после отжига при температуре $T_{a}$ = 800–1300$^\circ$C при давлениях 1 бар и 1–12 кбар. Из анализа полосы комбинационного рассеяния света сделано заключение об увеличении размеров преципитатов аморфного германия под действием гидростатического сжатия при температуре 1000$^\circ$C. Рассеяние на оптических фононах, локализованных в нанокристаллах германия, наблюдалось лишь после отжига образцов с максимальным содержанием имплантированных атомов при температуре 1300$^\circ$C. В спектрах фотолюминесценции наблюдался пик при $\sim$730 нм, природа которого связывается с проявлением квантово-размерного эффекта в нанокристаллах размером $\sim$3 нм.