Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 238–242
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45449.8581 (Mi phts5922) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Углеродные системы

Расширенная модель Холстейна–Хаббарда для эпитаксиального графена на металле

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (128 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45449.8581
Аннотация: Предложена модель, объединяющая расширенную модель Хаббарда, включающую внутриатомное и межатомное кулоновское отталкивание, и модель Холстейна, описывающую взаимодействие зонного электрона с эйнштейновским фононом. Рассмотрены три области фазовой диаграммы: волны спиновой и зарядовой плотностей и однородное по спину и заряду состояние. Численные оценки для подложек Rh, Ir и Pt показывают, что кулоновское взаимодействие играет ведущую роль, создавая возможность переходов из однородного состояния в состояния волн спиновой и зарядовой плотности состояний.
Поступила в редакцию: 15.03.2017
Принята в печать: 30.03.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 226–230
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020033
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Расширенная модель Холстейна–Хаббарда для эпитаксиального графена на металле”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 238–242; Semiconductors, 52:2 (2018), 226–230
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav18}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Расширенная модель Холстейна--Хаббарда для эпитаксиального графена на металле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 238--242
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5922}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45449.8581}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739667}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 226--230
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020033}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5922
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p238
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024