Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 227–232
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45447.8585 (Mi phts5920) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Микроструктура и комбинационное рассеяние света тонких пленок Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$, осажденных на гибкие металлические подложки

А. В. Станчикa, В. Ф. Гременокa, С. А. Башкировa, М. С. Тивановb, Р. Л. Юшкенасc, Г. Ф. Новиковd, Р. Герайтисc, A. M. Саадe

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
b Белорусский государственный университет, г. Минск
c НИИ Центр физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
d Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
e Прикладной университет Аль-Балка, Амман, Иордания
PDF полного текста (1300 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45447.8585
Аннотация: Тонкие пленки Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$ получены путем селенизации послойно электрохимически осажденных и предварительно отожженных прекурсоров Cu–Zn–Sn. В качестве гибких металлических подложек использованы фольги Мо и Та. Морфология, элементный и фазовый составы, кристаллическая структура пленок Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$ исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального микроанализа, рентгенофазового анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-01234
Работа выполнена при поддержке ГПНИ “Физическое материаловедение, новые материалы и технологии”, Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований и Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 16-08-01234).
Поступила в редакцию: 22.03.2017
Принята в печать: 28.03.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 215–220
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020197
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Станчик, В. Ф. Гременок, С. А. Башкиров, М. С. Тиванов, Р. Л. Юшкенас, Г. Ф. Новиков, Р. Герайтис, A. M. Саад, “Микроструктура и комбинационное рассеяние света тонких пленок Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$, осажденных на гибкие металлические подложки”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 227–232; Semiconductors, 52:2 (2018), 215–220
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{StaGreBas18}
\by А.~В.~Станчик, В.~Ф.~Гременок, С.~А.~Башкиров, М.~С.~Тиванов, Р.~Л.~Юшкенас, Г.~Ф.~Новиков, Р.~Герайтис, A.~M.~Саад
\paper Микроструктура и комбинационное рассеяние света тонких пленок Cu$_{2}$ZnSnSe$_{4}$, осажденных на гибкие металлические подложки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 227--232
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5920}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45447.8585}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739665}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 215--220
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020197}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5920
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p227
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024