Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 189–195
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45442.8607
(Mi phts5915)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка

Х. А. Абдуллинa, Л. В. Гриценкоab, С. Е. Кумековb, А. А. Мархабаеваa, Е. И. Теруковc

a Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казну им. аль-Фараби
b Казахский национальный технический университет им. К. И. Сатпаева
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы структура и электрические свойства пленок ZnO, влияние отжига и плазменной обработки в атмосфере водорода на спектры фотолюминесценции пленок ZnO. Кратковременная плазменная обработка в атмосфере водорода приводит к улучшению электрических свойств и появлению интенсивной полосы краевой фотолюминесценции. Наблюдалась сильная зависимость интенсивности и формы спектра краевой фотолюминесценции от условий предварительного отжига. Показано, что спектр фотолюминесценции состоит из нескольких вкладов. Обнаружен эффект инициированного ультрафиолетовым светом увеличения интенсивности фотолюминесценции, который имеет обратимый характер, фотолюминесценция усиливается после ультрафиолетовой засветки и уменьшается до начального значения при хранении образцов в темноте. Обсуждается природа наблюдаемых метастабильных мелких доноров.
Поступила в редакцию: 11.04.2017
Принята в печать: 24.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 177–183
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Х. А. Абдуллин, Л. В. Гриценко, С. Е. Кумеков, А. А. Мархабаева, Е. И. Теруков, “Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 189–195; Semiconductors, 52:2 (2018), 177–183
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbdGriKum18}
\by Х.~А.~Абдуллин, Л.~В.~Гриценко, С.~Е.~Кумеков, А.~А.~Мархабаева, Е.~И.~Теруков
\paper Влияние термических и плазменных обработок на фотолюминесценцию пленок оксида цинка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 189--195
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5915}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45442.8607}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739660}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 177--183
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020021}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5915
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p189
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024