Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 161–166
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45437.8566
(Mi phts5910)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка

М. А. Ормонт, И. П. Звягин

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация: Исследовано влияние эффектов гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников. Показано, что зависимость предэкспоненциального множителя резонансного интеграла от межцентрового расстояния в паре обусловливает резкость смены механизмов проводимости в окрестности перехода частотной зависимости вещественной части проводимости $\sigma_{1}(\omega)$ от сублинейной к квадратичной. Резкость смены режимов проводимости связана с быстрым уменьшением длины прыжка с ростом частоты в окрестности кроссовера, что приводит к существенному относительному уменьшению вклада от бесфононной компоненты проводимости в режиме с переменной длиной прыжка с ростом частоты и переходу к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка.
Поступила в редакцию: 27.02.2017
Принята в печать: 22.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 150–155
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020100
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 161–166; Semiconductors, 52:2 (2018), 150–155
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrmZvy18}
\by М.~А.~Ормонт, И.~П.~Звягин
\paper Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 161--166
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5910}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45437.8566}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739655}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 150--155
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020100}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5910
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p161
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024