|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка
М. А. Ормонт, И. П. Звягин Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Исследовано влияние эффектов гибридизации электронных состояний на высокочастотную проводимость неупорядоченных полупроводников. Показано, что зависимость предэкспоненциального множителя резонансного интеграла от межцентрового расстояния в паре обусловливает резкость смены механизмов проводимости в окрестности перехода частотной зависимости вещественной части проводимости $\sigma_{1}(\omega)$ от сублинейной к квадратичной. Резкость смены режимов проводимости связана с быстрым уменьшением длины прыжка с ростом частоты в окрестности кроссовера, что приводит к существенному относительному уменьшению вклада от бесфононной компоненты проводимости в режиме с переменной длиной прыжка с ростом частоты и переходу к режиму проводимости с постоянной длиной прыжка.
Поступила в редакцию: 27.02.2017 Принята в печать: 22.05.2017
Образец цитирования:
М. А. Ормонт, И. П. Звягин, “Особенности частотной зависимости проводимости неупорядоченных полупроводников в области перехода к режиму с постоянной длиной прыжка”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 161–166; Semiconductors, 52:2 (2018), 150–155
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5910 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p161
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 18 |
|