Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 409–413
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45630.8624
(Mi phts5906)
 

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge

М. Ю. Есинa, А. И. Никифоровab, В. А. Тимофеевa, А. Р. Туктамышевa, В. И. Машановa, И. Д. Лошкаревa, А. С. Дерябинa, О. П. Пчеляковab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация: Исследован переход от двухдоменной к однодоменной поверхности на подложке Si(100). Показано с использованием дифракции быстрых электронов, что при температуре 600$^\circ$С и при со скорости осаждения 0.652 $\mathring{\mathrm{A}}$/с предварительно нагретую до 1000$^\circ$С подложку Si(100), отклоненную к плоскости (111) на угол 0.35$^\circ$, при неизменном потоке Si происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1 $\times$ 2. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1 $\times$ 2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступенькам. При скоростях роста менее 0.652 $\mathring{\mathrm{A}}$/с также наблюдался переход от двухдоменной к однодоменной поверхности и с уменьшением скорости роста отношение интенсивностей $I_{2\times1}/I_{1\times2}$ уменьшается, максимум зависимостей сдвигается в сторону меньших температур. Полного исчезновения серии рефлексов от сверхструктуры при предварительном отжиге при температурe 700$^\circ$С не наблюдалось, но наблюдалось только при предварительном отжиге при температурax 900 и 1000$^\circ$С. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температуре 800$^\circ$С. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. Предложен механизм упорядочения островков Ge на поверхности Si(100).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60087
16-29-03292
Российский научный фонд 16-12-00023
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 16-32-60087, 16-29-03292) и РНФ (грант № 16-12-00023).
Поступила в редакцию: 25.04.2017
Принята в печать: 02.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 390–393
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030107
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413; Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YesNikTim18}
\by М.~Ю.~Есин, А.~И.~Никифоров, В.~А.~Тимофеев, А.~Р.~Туктамышев, В.~И.~Машанов, И.~Д.~Лошкарев, А.~С.~Дерябин, О.~П.~Пчеляков
\paper Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 409--413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5906}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45630.8624}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739697}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 390--393
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030107}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5906
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p409
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024