|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge
М. Ю. Есинa, А. И. Никифоровab, В. А. Тимофеевa, А. Р. Туктамышевa, В. И. Машановa, И. Д. Лошкаревa, А. С. Дерябинa, О. П. Пчеляковab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
Аннотация:
Исследован переход от двухдоменной к однодоменной поверхности на подложке Si(100). Показано с использованием дифракции быстрых электронов, что при температуре 600$^\circ$С и при со скорости осаждения 0.652 $\mathring{\mathrm{A}}$/с предварительно нагретую до 1000$^\circ$С подложку Si(100), отклоненную к плоскости (111) на угол 0.35$^\circ$, при неизменном потоке Si происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1 $\times$ 2. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1 $\times$ 2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступенькам. При скоростях роста менее 0.652 $\mathring{\mathrm{A}}$/с также наблюдался переход от двухдоменной к однодоменной поверхности и с уменьшением скорости роста отношение интенсивностей $I_{2\times1}/I_{1\times2}$ уменьшается, максимум зависимостей сдвигается в сторону меньших температур. Полного исчезновения серии рефлексов от сверхструктуры при предварительном отжиге при температурe 700$^\circ$С не наблюдалось, но наблюдалось только при предварительном отжиге при температурax 900 и 1000$^\circ$С. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температуре 800$^\circ$С. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек. Предложен механизм упорядочения островков Ge на поверхности Si(100).
Поступила в редакцию: 25.04.2017 Принята в печать: 02.05.2017
Образец цитирования:
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413; Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5906 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p409
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 41 | PDF полного текста: | 15 |
|