|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
Ф. И. Маняхин Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
Аннотация:
Установлен механизм снижения светового потока светодиодов на основе гетеростуктур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами. Уменьшение светового потока связано с генерацией точечных дефектов в активной области гетероструктур вследствие взаимодействия кристаллической решетки полупроводника с горячими носителями заряда, образующимися в режиме отклонения вольт-амперной зависимости от экспоненты. Получено аналитическое выражение закономерности спада светового потока в процессе длительного протекания тока, которое подтверждается экспериментальными результатами. Показано, что на ход зависимости светового потока от времени работы в значительной степени влияет неоднородность распределения индия в квантовых ямах.
Поступила в редакцию: 24.05.2017 Принята в печать: 25.05.2017
Образец цитирования:
Ф. И. Маняхин, “Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 378–384; Semiconductors, 52:3 (2018), 359–365
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5901 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p378
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | PDF полного текста: | 8 |
|