Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 378–384
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45625.8341 (Mi phts5901) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности

Ф. И. Маняхин

Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
PDF полного текста (240 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45625.8341
Аннотация: Установлен механизм снижения светового потока светодиодов на основе гетеростуктур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами. Уменьшение светового потока связано с генерацией точечных дефектов в активной области гетероструктур вследствие взаимодействия кристаллической решетки полупроводника с горячими носителями заряда, образующимися в режиме отклонения вольт-амперной зависимости от экспоненты. Получено аналитическое выражение закономерности спада светового потока в процессе длительного протекания тока, которое подтверждается экспериментальными результатами. Показано, что на ход зависимости светового потока от времени работы в значительной степени влияет неоднородность распределения индия в квантовых ямах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при финансировании в рамках программы 5-100 повышения конкурентоспособности НИТУ “МИСиС”.
Поступила в редакцию: 24.05.2017
Принята в печать: 25.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 359–365
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030168
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. И. Маняхин, “Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 378–384; Semiconductors, 52:3 (2018), 359–365
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Man18}
\by Ф.~И.~Маняхин
\paper Механизм и закономерность снижения светового потока светодиодов на основе структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при длительном протекании прямого тока различной плотности
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 378--384
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5901}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45625.8341}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739692}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 359--365
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030168}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5901
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p378
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024