Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 370–377
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45624.8594a (Mi phts5900) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона

В. А. Смирновa, А. Д. Мокрушинb, Н. Н. Денисовa, Ю. А. Добровольскийa

a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
PDF полного текста (275 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45624.8594a
Аннотация: В модели полевого транзистора исследована протонная проводимость в пленках оксида графена и нафиона в зависимости от влажности и напряжений на электродах. Электрические характеристики пленок подобны друг другу, но подвижность положительных зарядов в нафионе и усиление тока на 2–3 порядка выше, чем в оксиде графена. В пленках оксида графена отрицательно-ионный ток при положительном напряжении смещения составляет заметную величину от протонного (до $\sim$10%), в то время как в пленках нафиона он практически отсутствует ($<$ 1%).
Поступила в редакцию: 28.03.2017
Принята в печать: 17.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 352–358
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261803020X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Смирнов, А. Д. Мокрушин, Н. Н. Денисов, Ю. А. Добровольский, “Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 370–377; Semiconductors, 52:3 (2018), 352–358
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmiMokDen18}
\by В.~А.~Смирнов, А.~Д.~Мокрушин, Н.~Н.~Денисов, Ю.~А.~Добровольский
\paper Полевой транзистор на протонной проводимости пленок оксида графена и нафиона
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 370--377
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5900}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45624.8594a}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739691}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 352--358
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261803020X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5900
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p370
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024