Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 359–365
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45622.8550
(Mi phts5898)
 

Физика полупроводниковых приборов

Оптимальное легирование диодных прерывателей тока

А. С. Кюрегян

Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина
Аннотация: Получено аналитическое решение задачи об уменьшении потерь энергии $\Omega$ в диодных прерывателях тока на этапе восстановления блокирующей способности за счет оптимизации распределения легирующих примесей $N(x)$ по толщине структуры. Найдено распределение $N(x)$, близкое к оптимальному, позволяющее уменьшить $\Omega$ на 30–55% по сравнению с прерывателями стандартной конструкции с однородно легированными высокоомными слоями.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-01292
Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант № 16-08-01292).
Поступила в редакцию: 13.02.2017
Принята в печать: 07.03.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 341–347
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030144
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Кюрегян, “Оптимальное легирование диодных прерывателей тока”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 359–365; Semiconductors, 52:3 (2018), 341–347
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kyu18}
\by А.~С.~Кюрегян
\paper Оптимальное легирование диодных прерывателей тока
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 359--365
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5898}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45622.8550}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739689}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 341--347
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030144}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5898
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p359
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024