Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 342–348
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45619.8462 (Mi phts5895) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Особенности оптических характеристик пористого кремния и их модификация с использованием химической обработки поверхности

А. С. Леньшин

Воронежский государственный университет
PDF полного текста (1313 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45619.8462
Аннотация: Методами инфракрасной и фотолюминесцентной спектроскопии проведены сравнительные исследования особенностей состава и оптических свойств пористого кремния различной морфологии. На основе полученных экспериментальных данных и общепринятых теоретических моделей показаны основные факторы, негативно влияющие на интенсивность фотолюминесценции пористого кремния и ее деградацию под действием направленного излучения в видимом диапазоне. На примере пористого кремния с размерами пор 50–100 нм показана возможность улучшения указанных характеристик химической обработкой в полиакриловой кислоте.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.130.2014/K
MK-4865.2016.2
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки России в рамках государственного задания вузам в сфере научной деятельности на 2014–2016 гг. (проект № 740, задание № 3.130.2014/K) и гранта Президента РФ (MK-4865.2016.2).
Поступила в редакцию: 09.01.2017
Принята в печать: 19.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 324–330
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030156
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Леньшин, “Особенности оптических характеристик пористого кремния и их модификация с использованием химической обработки поверхности”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 342–348; Semiconductors, 52:3 (2018), 324–330
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Len18}
\by А.~С.~Леньшин
\paper Особенности оптических характеристик пористого кремния и их модификация с использованием химической обработки поверхности
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 342--348
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5895}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45619.8462}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739686}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 324--330
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030156}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5895
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p342
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024