Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 337–341
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45618.8596
(Mi phts5894)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние термических условий получения и обработки на оптические свойства пленок In$_{2}$O$_{3}$

А. А. Тихийa, Ю. М. Николаенкоa, Ю. И. Жихареваb, А. С. Корнеевецa, И. В. Жихаревa

a Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины
b Государственный университет телекоммуникаций, Киев, Украина
Аннотация: Пленки In$_{2}$O$_{3}$ на положках Al$_{2}$O$_{3}$ (012) получены методом $dc$-магнетронного распыления при различных температурах (20–600$^\circ$C). Исследование влияния отжига и температуры подложки на свойства пленок производилось эллипсометрическим методом и методом оптического пропускания. Построены профили показателя преломления; найдены значения ширины запрещенной зоны для прямых и “непрямых” переходов. Установлено, что отжиг приводит к уплотнению материала пленок и унификации значений показателя преломления. Также отжиг понижает и унифицирует энергии переходов зона-зона, что можно объяснить уменьшением влияния барьеров в отожженных пленках. Однако ширина запрещенной зоны для прямых переходов изменяется сильнее, чем для “непрямых”. Это может быть связано с механизмом непрямых переходов – участие фононов облегчает межзонные переходы, даже если им препятствует наличие дополнительных барьеров, обусловленных границами зерен. Последнее может быть косвенным свидетельством реальности непрямых переходов в оксиде индия.
Поступила в редакцию: 29.03.2017
Принята в печать: 17.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 320–323
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030223
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Тихий, Ю. М. Николаенко, Ю. И. Жихарева, А. С. Корнеевец, И. В. Жихарев, “Влияние термических условий получения и обработки на оптические свойства пленок In$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 337–341; Semiconductors, 52:3 (2018), 320–323
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TikNikZhi18}
\by А.~А.~Тихий, Ю.~М.~Николаенко, Ю.~И.~Жихарева, А.~С.~Корнеевец, И.~В.~Жихарев
\paper Влияние термических условий получения и обработки на оптические свойства пленок In$_{2}$O$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 337--341
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5894}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45618.8596}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739685}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 320--323
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030223}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5894
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p337
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024