|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Влияние термических условий получения и обработки на оптические свойства пленок In$_{2}$O$_{3}$
А. А. Тихийa, Ю. М. Николаенкоa, Ю. И. Жихареваb, А. С. Корнеевецa, И. В. Жихаревa a Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина
НАН Украины
b Государственный университет телекоммуникаций, Киев, Украина
Аннотация:
Пленки In$_{2}$O$_{3}$ на положках Al$_{2}$O$_{3}$ (012) получены методом $dc$-магнетронного распыления при различных температурах (20–600$^\circ$C). Исследование влияния отжига и температуры подложки на свойства пленок производилось эллипсометрическим методом и методом оптического пропускания. Построены профили показателя преломления; найдены значения ширины запрещенной зоны для прямых и “непрямых” переходов. Установлено, что отжиг приводит к уплотнению материала пленок и унификации значений показателя преломления. Также отжиг понижает и унифицирует энергии переходов зона-зона, что можно объяснить уменьшением влияния барьеров в отожженных пленках. Однако ширина запрещенной зоны для прямых переходов изменяется сильнее, чем для “непрямых”. Это может быть связано с механизмом непрямых переходов – участие фононов облегчает межзонные переходы, даже если им препятствует наличие дополнительных барьеров, обусловленных границами зерен. Последнее может быть косвенным свидетельством реальности непрямых переходов в оксиде индия.
Поступила в редакцию: 29.03.2017 Принята в печать: 17.04.2017
Образец цитирования:
А. А. Тихий, Ю. М. Николаенко, Ю. И. Жихарева, А. С. Корнеевец, И. В. Жихарев, “Влияние термических условий получения и обработки на оптические свойства пленок In$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 337–341; Semiconductors, 52:3 (2018), 320–323
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5894 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p337
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 11 |
|