Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 333–336
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45617.8684
(Mi phts5893)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Поверхностные наноструктуры, формирующиеся на ранних стадиях металл-стимулированного химического травления кремния. Оптические свойства наночастиц серебра

Ю. А. Жарова, В. А. Толмачев, А. И. Бедная, С. И. Павлов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Работа, состоящая из двух частей, посвящена исследованию наноструктур, формирующихся в 3-стадийном процессе металл-стимулированного химического травления кремния. В первой части исследован процесс химического осаждения слоя самоорганизующихся на поверхности кремниевой пластины наночастиц Ag (первая стадия металл-стимулированного химического травления). Этот слой является, с одной стороны, катализатором для проведения последующего травления кремния, а с другой – служит своеобразной маской для формирования той или иной топологии формирующихся нанонитей Si. С помощью растрового электронного микроскопа исследована морфология слоя наночастиц серебра (толщиной 40–60 нм), а с помощью спектральной эллипсометрии ($\lambda$ = 250–900 нм) измерены спектры эллипсометрических углов нанослоев $\Psi$ и $\Delta$. На основе этих спектров определена комплексная диэлектрическая функция полученного слоя Ag с характерным пиком плазмонного резонанса в УФ-части спектра. Исследования оптических свойств слоев нанонитей Si, формирующихся на ранних стадиях металл-стимулированного химического травления, будут опубликованы во второй части работы (в отдельной статье).
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01116 А
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 17-02-01116 А.
Поступила в редакцию: 11.07.2017
Принята в печать: 19.07.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 316–319
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030235
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Жарова, В. А. Толмачев, А. И. Бедная, С. И. Павлов, “Поверхностные наноструктуры, формирующиеся на ранних стадиях металл-стимулированного химического травления кремния. Оптические свойства наночастиц серебра”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 333–336; Semiconductors, 52:3 (2018), 316–319
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhaTolBed18}
\by Ю.~А.~Жарова, В.~А.~Толмачев, А.~И.~Бедная, С.~И.~Павлов
\paper Поверхностные наноструктуры, формирующиеся на ранних стадиях металл-стимулированного химического травления кремния. Оптические свойства наночастиц серебра
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 333--336
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5893}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45617.8684}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739684}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 316--319
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030235}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5893
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p333
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024