Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 3, страницы 322–326
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45615.8373 (Mi phts5891) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Глубокие центры радиационных дефектов в монокристаллах CdZnTe, созданные потоком быстрых нейтронов

С. В. Пляцко, Л. В. Рашковецкий

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
PDF полного текста (382 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45615.8373
Аннотация: Исследовано влияние потока быстрых нейтронов ($\Phi$ = 10$^{14}$-10$^{15}$ см$^{-2}$) на электрофизические и фотолюминесцентные свойства монокристаллов $p$-CdZnTe. Проведен изотермический отжиг ($T$ = 400–500 K) и определена энергия активации диссоциации радиационных дефектов, которая оказалась равной $E_{D}\approx$ 0.75 эВ.
Поступила в редакцию: 30.08.2017
Принята в печать: 05.09.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 3, Pages 305–309
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618030181
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Пляцко, Л. В. Рашковецкий, “Глубокие центры радиационных дефектов в монокристаллах CdZnTe, созданные потоком быстрых нейтронов”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 322–326; Semiconductors, 52:3 (2018), 305–309
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PlyRas18}
\by С.~В.~Пляцко, Л.~В.~Рашковецкий
\paper Глубокие центры радиационных дефектов в монокристаллах CdZnTe, созданные потоком быстрых нейтронов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 322--326
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5891}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.03.45615.8373}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739682}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 3
\pages 305--309
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618030181}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5891
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p322
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024