|
Электронные свойства полупроводников
Оптические переходы в кристаллах ZnSe и CdTe с участием $d$-зон катионов
В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков Удмуртский государственный университет, г. Ижевск
Аннотация:
Спектры диэлектрических проницаемостей $\varepsilon_1(E)$ и $\varepsilon_2(E)$ кристаллов ZnSe и CdTe рассчитаны в области 10–25 эВ, используя их экспериментальные спектры отражения и интегральные соотношения Крамерса–Кронига. Они разложены на тринадцать и двенадцать отдельных полос переходов для ZnSe и CdTe соответственно, применяя усовершенствованный беспараметрический метод объединенных диаграмм Арганда. При этом определены их основные параметры: энергии максимумов и полуширин, силы осцилляторов. Значения сил осцилляторов находятся в интервалах 0.1–1.4 (ZnSe) и 0.2–0.7 (CdTe). Полученные полосы $\varepsilon_2(E)$ обусловлены межзонными и экситонными переходами с участием остовных $d$-зон катионов обоих кристаллов.
Поступила в редакцию: 27.04.2017 Принята в печать: 31.08.2017
Образец цитирования:
В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, “Оптические переходы в кристаллах ZnSe и CdTe с участием $d$-зон катионов”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 304–310; Semiconductors, 52:3 (2018), 287–293
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5889 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p304
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 16 |
|