Оптические переходы в кристаллах ZnSe и CdTe с участием $d$-зон катионов

Спектры диэлектрических проницаемостей $\varepsilon_1(E)$ и $\varepsilon_2(E)$ кристаллов ZnSe и CdTe рассчитаны в области 10–25 эВ, используя их экспериментальные спектры отражения и интегральные соотношения Крамерса–Кронига. Они разложены на тринадцать и двенадцать отдельных полос переходов для ZnSe и CdTe соответственно, применяя усовершенствованный беспараметрический метод объединенных диаграмм Арганда. При этом определены их основные параметры: энергии максимумов и полуширин, силы осцилляторов. Значения сил осцилляторов находятся в интервалах 0.1–1.4 (ZnSe) и 0.2–0.7 (CdTe). Полученные полосы $\varepsilon_2(E)$ обусловлены межзонными и экситонными переходами с участием остовных $d$-зон катионов обоих кристаллов.