Электрический пробой в чистом $n$- и $p$-Si

Представлены результаты расчета зависимостей кинетических коэффициентов ударной ионизации и термической рекомбинации от электрического поля в чистом кремнии. По аналогии с германием рассчитаны зависимости поля электрического пробоя $E_{\operatorname{br}}$ от степени компенсации материала $K$. Дано подробное обоснование правомочности такого расчета. Представлены кривые $E_{\operatorname{br}}(K)$ и проведено сравнение с экспериментальными данными в области слабых компенсаций. Выполнена привязка к экспериментальным результатам, при которой наблюдается удовлетворительное соответствие теории и эксперимента.