|
Электронные свойства полупроводников
Электрический пробой в чистом $n$- и $p$-Si
В. Ф. Баннаяa, Е. В. Никитинаb a Московский государственный педагогический университет, Москва
b Российский университет дружбы народов, г. Москва
Аннотация:
Представлены результаты расчета зависимостей кинетических коэффициентов ударной ионизации и термической рекомбинации от электрического поля в чистом кремнии. По аналогии с германием рассчитаны зависимости поля электрического пробоя $E_{\operatorname{br}}$ от степени компенсации материала $K$. Дано подробное обоснование правомочности такого расчета. Представлены кривые $E_{\operatorname{br}}(K)$ и проведено сравнение с экспериментальными данными в области слабых компенсаций. Выполнена привязка к экспериментальным результатам, при которой наблюдается удовлетворительное соответствие теории и эксперимента.
Поступила в редакцию: 06.02.2017 Принята в печать: 13.02.2017
Образец цитирования:
В. Ф. Банная, Е. В. Никитина, “Электрический пробой в чистом $n$- и $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 291–294; Semiconductors, 52:3 (2018), 273–277
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5886 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i3/p291
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 8 |
|