Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 487 (Mi phts5883)  
XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Spin Related Phenomena in Nanostructures

Quantum dynamics of a domain wall in the presence of dephasing

Claudio Castelnovoa, Mark I. Dykmanb, Vadim N. Smelyanskiyc, Roderich Moessnerd, Leonid P. Pryadkoe

a T.C.M.Group, Cavendish Laboratory, University of Cambridge, J.J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, U.K
b Department of Physics and Astronomy, Michigan State University, East Lansing, Michigan 48824 USA
c Google Inc., Venice, California 90291, USA
d Max-Planck-Institut für Physik komplexer Systeme, 01187 Dresden, Germany
e Department of Physics & Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA
PDF полного текста (28 kB)
Аннотация: We compare quantum dynamics in the presence of Markovian dephasing for a particle hopping on a chain and for an Ising domain wall whose motion leaves behind a string of flipped spins. Exact solutions show that on an infinite chain, the transport responses of the models are nearly identical. However, on finitelength chains, the broadening of discrete spectral lines is much more noticeable in the case of a domain wall.
Финансовая поддержка Номер гранта
U.S. Army Research Office W911NF-14-1-0272
National Science Foundation PHY-1416578
Engineering and Physical Sciences Research Council EP /K028960/1
EP/M007065/1
This work was supported in part by the ARO grant W911NF-14-1-0272, the NSF grant PHY-1416578, and EPSRC grants EP /K028960/1 and EP/M007065/1.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 539–542
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Claudio Castelnovo, Mark I. Dykman, Vadim N. Smelyanskiy, Roderich Moessner, Leonid P. Pryadko, “Quantum dynamics of a domain wall in the presence of dephasing”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 487; Semiconductors, 52:4 (2018), 539–542
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CasDykSme18}
\by Claudio~Castelnovo, Mark~I.~Dykman, Vadim~N.~Smelyanskiy, Roderich~Moessner, Leonid~P.~Pryadko
\paper Quantum dynamics of a domain wall in the presence of dephasing
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 487
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5883}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740482}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 539--542
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5883
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p487
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024