Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 480 (Mi phts5876)  

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Quantum wells, Quantum wires, Quantum dots, band structure

Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots

M. V. Rakhlina, K. G. Belyaeva, G. V. Klimkoa, I. S. Mukhinbc, S. V. Ivanova, A. A. Toropova

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
c ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
Аннотация: We report on single-photon emission of InAs/AlGaAs self-assembled quantum dots (QDs) grown by molecular beam epitaxy. By varying the growth conditions the QDs luminescence could be tuned over a wide wavelength range from 0.64 to 1 $\mu$m, including red part of the visible spectrum. Emission properties of individual QDs are investigated by micro-photoluminescence ($\mu$-PL) spectroscopy using 500-nm-size etched mesa structures. Autocorrelation functions of photons from single QDs, measured in the wide spectral range demonstrate antibunching effect at zero delay time with a value of $g^{(2)}(0)\sim$ 0.17 that is a clear evidence of non-classical light.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00107
The authors gratefully acknowledge the financial support of the Russian Science Foundation (project 14-22-00107)
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 511–513
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040243
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 480; Semiconductors, 52:4 (2018), 511–513
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RakBelKli18}
\by M.~V.~Rakhlin, K.~G.~Belyaev, G.~V.~Klimko, I.~S.~Mukhin, S.~V.~Ivanov, A.~A.~Toropov
\paper Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 480
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5876}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740475}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 511--513
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040243}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5876
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p480
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024