Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 471 (Mi phts5867)  

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Optoelectronics, optical properties

Resonant optical reflection from AsSb–AlGaAs metamaterials and structures

V. I. Ushanova, V. V. Chaldysheva, V. V. Preobrazhenskiyb, M. A. Putyatob, B. R. Semyaginb

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia
Аннотация: The optical reflection in periodic structures based on a semiconductor AlGaAs matrix containing two-dimensional arrays of plasmonic AsSb nanoinclusions was studied. The number of periods was 12 or 24. The spatial period was near 110 nm in both cases. In the experimental optical reflection spectra at normal incidence we observed resonant Bragg diffraction with the main peaks at wavelengths of 757 or 775 nm, depending on the spatial period of the nanostructure. The magnitudes of the resonance peaks reached 19 and 31% for the systems of 12 and 24 AsSb–AlGaAs layers, while the volume fraction of the nanoinclusions was much less than 1%. In the case of light incident at inclined angles, the Bragg-diffraction pattern shifted according to Wulff-Bragg’s law. Numerical calculations of the optical reflection spectra were performed using the transfer-matrix method by taking into account the spatial geometry of the structures and the resonance characteristics of the plasmonic AsSb layers.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01168
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
The research by V.I. Ushanov, V.V. Preobrazhenskiy, M.A. Putyato, B.R. Semyagin was supported by the Russian Foundation for Basic Research, grant № 17-02-01168. V.V. Chaldyshev acknowledges financial support via program of fundamental research by Presidium of the Russian Academy of Sciences.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 468–472
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040292
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: V. I. Ushanov, V. V. Chaldyshev, V. V. Preobrazhenskiy, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, “Resonant optical reflection from AsSb–AlGaAs metamaterials and structures”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 471; Semiconductors, 52:4 (2018), 468–472
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UshChaPre18}
\by V.~I.~Ushanov, V.~V.~Chaldyshev, V.~V.~Preobrazhenskiy, M.~A.~Putyato, B.~R.~Semyagin
\paper Resonant optical reflection from AsSb--AlGaAs metamaterials and structures
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 471
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5867}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740466}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 468--472
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040292}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5867
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p471
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024