Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страница 468 (Mi phts5864)  

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Optoelectronics, optical properties

Localization-delocalization transition in disordered one-dimensional exciton-polariton system

A. V. Larionova, A. S. Brichkina, S. Höflingb, V. D. Kulakovskiia

a Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, 142432 Chernogolovka, Russia
b Technische Physik, Universität Würzburg, D-97074 Würzburg, Germany
Аннотация: The transition from the delocalized to the localized state has been investigated in a quasi-one- dimensional exciton-polariton system excited nonresonantly in GaAs-based microcavity wire with disordered potential.The photoexcited polariton condensate has been found to spread along the wire with a velocity exceeding 1 $\mu$/ps. The propagation along the wire is provided by high energy polaritons. The LP localization length decreases with decreasing blue shift of LPs in the excited spot. The polariton condensate returns to the Bose glass state when the blue shift of the LP resonance at the excitation spot decreases below the critical level that depends on the potential disorder.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00407
The work was partly supported by the Russian Foundation for Basic Research (Grant № 16-02-00407) and the State of Bavaria.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 458–461
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261804019X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Larionov, A. S. Brichkin, S. Höfling, V. D. Kulakovskii, “Localization-delocalization transition in disordered one-dimensional exciton-polariton system”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 468; Semiconductors, 52:4 (2018), 458–461
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LarBriHof18}
\by A.~V.~Larionov, A.~S.~Brichkin, S.~H\"ofling, V.~D.~Kulakovskii
\paper Localization-delocalization transition in disordered one-dimensional exciton-polariton system
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 468
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5864}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740463}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 458--461
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261804019X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5864
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p468
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024