Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страницы 446–462 (Mi phts5858)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Investigation on high-$\kappa$ dielectric for low leakage AlGaN/GaN MIS–HEMT device, using material selection methodologies

Pranay Kumar Reddy Baikadi, Karri Babu Ravi Teja, Kavindra Kandpal

Department of Electrical & Electronics Engineering, Birla Institute of Technology and Science Pilani, Rajasthan, India
Аннотация: This paper analyzes various high-$\kappa$ dielectrics for low leakage AlGaN (Aluminium Gallium Nitride)/GaN (Gallium Nitride) MIS-HEMT (Metal Insulator Semiconductor – High Electron Mobility Transistor) device. The investigation is carried out by examining different attributes such as the dielectric constant, conduction band offset, and energy band gap of the dielectric which are crucial for a good dielectric-AlGaN interface. This work also computes the values of band offsets of different dielectrics to AlGaN analytically. The selection of the most promising dielectric is done using three different multi-criteria decision making methods (MCDM) namely the Ashby, VIKOR (VIseKriterijumska Optimizacija I Kompromisno Resenje in Serbian, meaning Multicriteria Optimization and Compromise Solution) and TOPSIS (Technique for Order Preference by Similarity to Ideal Solution). All the analyses point to La$_{2}$O$_{3}$ as the best gate dielectric for AlGaN/GaN MIS-HEMT device.
Ключевые слова: MIS-HEMT, high-$\kappa$ dielectric, Ashby, VIKOR, TOPSIS, Conduction band offset.
Поступила в редакцию: 15.05.2017
Исправленный вариант: 11.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 420–430
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Pranay Kumar Reddy Baikadi, Karri Babu Ravi Teja, Kavindra Kandpal, “Investigation on high-$\kappa$ dielectric for low leakage AlGaN/GaN MIS–HEMT device, using material selection methodologies”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 446–462; Semiconductors, 52:4 (2018), 420–430
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiTejKan18}
\by Pranay~Kumar~Reddy~Baikadi, Karri~Babu~Ravi~Teja, Kavindra~Kandpal
\paper Investigation on high-$\kappa$ dielectric for low leakage AlGaN/GaN MIS--HEMT device, using material selection methodologies
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 446--462
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5858}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740457}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 420--430
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5858
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p446
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:41
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024