Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 4, страницы 439–445 (Mi phts5857)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Structural, mechanical and thermodynamic properties of Cu$_{2}$CoXs$_{4}$ (X = Si, Ge, Sn) studied by a density functional theory method

Yu. J. Dong, Ya. L. Gao

School of Science and Technology, Xinyang University, Xinyang, People’s Republic of China
Аннотация: In the paper, we will investigate the basic physical properties of Cu$_{2}$CoXS$_{4}$ (X = Si, Ge, Sn) by using the density functional theory approach. The calculated lattice parameters are in good correspondence with the theoretical data, and the chosen theoretical method is proved to be reliable. In the first part, the Mulliken population analysis indicates the bonds between $S$ atoms and other three atoms in Cu$_{2}$CoXS$_{4}$ (X = Si, Ge, Sn) exhibit the feature of covalent bond. And then, the calculated elastic constants prove the mechanical stability of Cu$_{2}$CoXS$_{4}$ (X = Si, Ge, Sn) in I $\bar4$2m structure. Results are given for B/G and $A^{U}$ reveal Cu$_{2}$CoXS$_{4}$ (X = Si, Ge, Sn) can behave as a ductile and elastic material. Finally, the pressure and temperature dependence of heat capacity, thermal expansion, entropy and Debye temperature in the rang from 0 to 1000 K and from 0 GPa to 50 GPa are also reported in this study.
Поступила в редакцию: 30.09.2017
Исправленный вариант: 20.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 4, Pages 414–419
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618040127
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Yu. J. Dong, Ya. L. Gao, “Structural, mechanical and thermodynamic properties of Cu$_{2}$CoXs$_{4}$ (X = Si, Ge, Sn) studied by a density functional theory method”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 439–445; Semiconductors, 52:4 (2018), 414–419
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DonGao18}
\by Yu.~J.~Dong, Ya.~L.~Gao
\paper Structural, mechanical and thermodynamic properties of Cu$_{2}$CoXs$_{4}$ (X = Si, Ge, Sn) studied by a density functional theory method
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 439--445
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5857}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740456}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 4
\pages 414--419
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618040127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5857
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i4/p439
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024