Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 519 (Mi phts5845)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography

A. V. Lukyanenkoab, T. E. Smolyarovaab

a Kirensky Institute of Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences, 660036 Krasnoyarsk, Russia
b Siberian Federal University, 660041 Krasnoyarsk, Russia
Аннотация: For modern microelectronics, at the present time, the technologies of consciousness smart structures play an important role, which can provide accuracy, stability and high quality of the structures. Submicron lithography methods are quite expensive and have natural size limitations, not allowing the production of structures with an extremely small lateral limitation. Therefore, an intensive search was conducted for alternative methods for creating submicron resolution structures. Especially attractive one is the possibility of self-organization effects utilization, where the nanostructure of a certain size is formed under the influence of internal forces. The dip pen nanolithography method based on a scanning probe microscope uses a directwrite technology and allows one to carry out a playback of small size structures with high accuracy. In the experiment, a substrate coated with Au (15 nm) using a DPN technique is applied to the polymer to form a desired pattern nano-sized channel. The experiment was conducted using a pointed probe SiN, coated MHA-Acetonitrile, on the Si(111)/Fe$_3$Si/Au structure.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-42-243046
16-42-242036
16-42-243060
The reported study was funded by Russian Foundation for Basic Research, Government of Krasnoyarsk Territory, Krasnoyarsk Region Science and Technology Support Fund to the research projects No 16-42-243046, 16-42-242036 and 16-42-243060.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 636–638
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050202
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Lukyanenko, T. E. Smolyarova, “Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 519; Semiconductors, 52:5 (2018), 636–638
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LukSmo18}
\by A.~V.~Lukyanenko, T.~E.~Smolyarova
\paper Alternative technology for creating nanostructures using Dip Pen Nanolithography
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 519
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5845}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740383}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 636--638
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050202}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5845
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p519
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024