Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 518 (Mi phts5844)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Fabrication of silicon nanostructures for application in photonics

A. N. Kamalievaa, N. A. Toropova, T. A. Vartanyana, M. A. Baranova, P. S. Parfenova, K. V. Bogdanova, Yu. A. Zharovaab, V. A. Tolmachevb

a ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
b Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
Аннотация: Silicon is the primary material of modern electronics. It also possesses bright potentials for applications in nanophotonics. At the same time optical properties of bulk silicon do not fully satisfy requirements imposed on them. Fortunately, properties of silicon nanostructures strongly depend on their shapes and sizes. In this regard, of special interest is the development of fabrication and post-processing methods of silicon nanostructures. In this contribution we propose a method for silicon nanostructures fabrication combining the technique of high-vacuum deposition with metal-assisted chemical etching. SEM images as well as ellipsometry, Raman scattering and optical spectroscopy data prove that the desired structural changes were obtained.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00932 A
17-02-01116 A
Министерство образования и науки Российской Федерации 074-U01
MK-228.2017.2
3.4903.2017/6.7
Authors thank the next foundations for financial support: the RFBR (16-02-00932 A, and 17-02-01116 A), the Government of Russia (074-U01), Presidential Grant (MK-228.2017.2), and Ministry of education and science of Russian Federation (3.4903.2017/6.7).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 632–635
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050135
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. N. Kamalieva, N. A. Toropov, T. A. Vartanyan, M. A. Baranov, P. S. Parfenov, K. V. Bogdanov, Yu. A. Zharova, V. A. Tolmachev, “Fabrication of silicon nanostructures for application in photonics”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 518; Semiconductors, 52:5 (2018), 632–635
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KamTorVar18}
\by A.~N.~Kamalieva, N.~A.~Toropov, T.~A.~Vartanyan, M.~A.~Baranov, P.~S.~Parfenov, K.~V.~Bogdanov, Yu.~A.~Zharova, V.~A.~Tolmachev
\paper Fabrication of silicon nanostructures for application in photonics
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 518
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5844}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740382}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 632--635
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050135}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5844
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p518
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024